[发明专利]用于高性能和低光劣化的太阳能电池的缓冲层及其形成方法在审
| 申请号： | 201410040488.0 | 申请日： | 2014-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN103972331A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | A·J·宏;M·J·霍普斯塔肯;金志焕;J·A·奥特;D·K·萨达那 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20;H01L31/075;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用于高性能和低光劣化的太阳能电池的缓冲层及其形成方法。一种用于形成光伏器件的方法包括在透明电极和p-型层之间形成缓冲层。缓冲层包括掺杂的无锗的硅基材料。缓冲层具有落入在透明电极和p-型层的势垒能量内的功函数。在p-型层上形成本征层和n-型层。还提供了器件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 性能 低光劣化 太阳能电池 缓冲 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种用于形成光伏器件的方法，包括： 在透明电极和p‑型层之间形成缓冲层，所述缓冲层包括掺杂的无锗的硅基材料，所述缓冲层包括落入所述透明电极和所述p‑型层的势垒能量内的功函数；以及 在所述p‑型层上形成本征层和n‑型层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
