[发明专利]一种具有阈开关效应的多铁陶瓷半导体及其制备的方法有效
| 申请号： | 201410040541.7 | 申请日： | 2014-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN103779395A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 王守宇;刘卫芳;席晓鹃;王海菊;王旭;郭峰 | 申请（专利权）人： | 天津师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/12;H01L21/02 |
| 代理公司： | 天津市杰盈专利代理有限公司 12207 | 代理人： | 朱红星 |
| 地址： | 300387 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有阈开关效应的多铁陶瓷半导体及其制备方法。该陶瓷半导体器件是由导电下电极层、多铁陶瓷半导体和上电极薄膜层组成；其中所述的上下电极为Pt、Au或Al导电薄膜；所述的陶瓷半导体是Mg元素掺杂的BiFeO3陶瓷或缺氧的BiFeO3陶瓷。多铁陶瓷半导体采用改进的快速烧结技术合成，以高纯度Bi2O3、Fe2O3和掺杂氧化物为原料，充分混合后在特定的压强下压片成型；经过高温预烧结和快速烧结后，沉积上下电极薄膜层。本发明的多铁半导体器件具有优异的阈开关效应，利用受主离子在Fe位的掺杂，可以便利地调控阈值电压，并实现室温下低电场阈开关效应。本发明将对提高存储器件的设计灵活度具有重要的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 开关 效应 陶瓷 半导体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有阈开关效应的多铁陶瓷半导体器件，包括导电下电极（1）、多铁半导体陶瓷层（2）、上电极薄膜层（3）；其特征在于多铁半导体陶瓷层（2）置于导电下电极（1）和上电极薄膜层（3）之间；其中导电下电极（1）为Pt、Au或Al导电薄膜中的一种；所述的多铁半导体陶瓷层（2）为缺氧的BiFeO3或者Mg元素掺杂改性的Bi0.9La0.1Fe1‑xMgxO3陶瓷的一种，其中x=0.01, 0.02,0.03, 0.04或0.05。
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