[发明专利]一种肖特基ZnO基LED用氧化锌薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201410040573.7 | 申请日： | 2014-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN103811615A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 杨卿;周小红 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/28 | 分类号： | H01L33/28;H01L33/00 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种肖特基ZnO基LED用氧化锌薄膜的制备方法，包括以下步骤：在ZnS基板表面涂覆Ga；将涂有Ga的ZnS基板置于管式炉中保温一定时间后冷却至室温，得到肖特基ZnO基LED用氧化锌薄膜。本发明一种肖特基ZnO基LED用氧化锌薄膜的制备方法，将液态Ga涂覆于ZnS基板表面，通过热氧化在ZnS基板表面生成ZnO薄膜，解决了现有肖特基ZnO基LED驱动电压阈值高的问题，该方法操作简单、环境友好，所制备的氧化锌薄膜具有工作电压低、发光稳定等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 zno led 氧化锌 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基ZnO基LED用氧化锌薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，在ZnS基板表面涂覆Ga，得到涂有Ga的ZnS基板；步骤2，将所述步骤1得到的涂有Ga的ZnS基板置于管式炉中升温至一定温度保温一定时间后冷却至室温，得到肖特基ZnO基LED用氧化锌薄膜。
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