[发明专利]一种铟镓锌氧化物半导体薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201410040761.X | 申请日： | 2014-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN103779425A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 方汉铿;谢应涛;蔡述澄;欧阳世宏;石强 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 郑立 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铟镓锌氧化物半导体薄膜的制备方法，包括如下步骤：a）制备乙酰丙酮镓的乙醇溶液、乙酰丙酮锌水合物的乙醇溶液和乙酰丙酮铟的四氢呋喃溶液；b）将三种溶液进行混合并搅拌均匀，制得铟镓锌氧化物的前驱体溶液；c）将前驱体溶液沉积在基板材料上并进行退火处理，制得铟镓锌氧化物半导体薄膜。本发明制备工艺简单、可控，成本低，光电性能优良。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铟镓锌 氧化物 半导体 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铟镓锌氧化物半导体薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：a）分别制备乙酰丙酮镓的乙醇溶液、乙酰丙酮锌水合物的乙醇溶液和乙酰丙酮铟的四氢呋喃溶液；b）将步骤a）所得的三种溶液进行混合，制得铟镓锌氧化物的前驱体溶液；c）将步骤b）所得的前驱体溶液混合均匀；d）将步骤c）所得的前驱体溶液沉积在基板材料上，制得铟镓锌氧化物半导体薄膜；e）将步骤d)所得的铟镓锌氧化物半导体薄膜进行退火处理，即得所需的铟镓锌氧化物半导体薄膜。
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