[发明专利]半导体功率器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410041435.0 | 申请日： | 2014-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN104218084B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 弗朗索瓦·赫伯特;金宁培;文振宇;李倞镐 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;吴鹏章 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种半导体功率器件及其制造方法。所述半导体功率器件包括：第一导电型半导体衬底；形成在半导体衬底上的外延层；形成在半导体衬底和外延层中的第二导电型阱；形成在阱中的漏极区；将栅极区与漏极区绝缘的氧化物层；形成在阱中的第一导电型埋层；围绕埋层的第二导电型漂移区；以及形成在埋层与氧化物层之间的第二导电型TOP区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体功率器件，包括：第一导电型半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的外延层；形成在所述半导体衬底中的第二导电型阱；形成在所述阱中的漏极区；将栅极区绝缘于所述漏极区的氧化物层；形成在所述阱中的第一导电型埋层；沿着至少所述埋层的侧面和底面围绕所述埋层的第二导电型漂移区；以及形成在所述埋层与所述氧化物层之间的第二导电型TOP区。
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