[发明专利]低温汞齐无效
| 申请号： | 201410041442.0 | 申请日： | 2014-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN103730327A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 洪仁沛 | 申请（专利权）人： | 厦门全利来电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01J61/18 | 分类号： | H01J61/18;H01J61/20 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市同*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 低温汞齐，涉及一种用于节能灯、荧光灯等的汞齐材料。低温汞齐的各组分按质量百分比含量为Bi 1%～20%、Zn 0.5%～5.0%、Sn 40%～78.5%、Hg 10%～55%。Zn能增加汞齐硬度，使其常温下不易粘连，Bi能增加汞齐的脆度，使其更容易成形，提高成品率和生产效率。该汞齐常温下为固态，能精确控制每支灯管的用汞量，且汞不易流失，不会对环境造成污染。可直接替代液汞，用于节能灯、荧光灯内，制出的灯管的工作温度为40～50℃，具有良好的低温启动性能。根据低温汞齐组成成分和含量不同，含汞量较高的汞齐，适用于工作温度较低的直管荧光灯；含汞量较低的汞齐，适用于工作温度较高的裸点节能灯。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 | ||
【主权项】：
低温汞齐，其特征在于其各组分按质量百分比含量为Bi1%～20%、Zn0.5%～5.0%、Sn40%～78.5%、Hg10%～55%。
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