[发明专利]一种多晶硅铸锭熔料及排杂工艺有效
| 申请号： | 201410041954.7 | 申请日： | 2014-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN103741206A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 周建华 | 申请（专利权）人： | 西安华晶电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人： | 谭文琰 |
| 地址： | 710077 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅铸锭熔料及排杂工艺，包括步骤：一、预热：采用铸锭炉对装于坩埚内的硅料预热，并将铸锭炉加热温度逐步提升至T1；预热时间为6～10h，T1=1165～1185℃；二、熔化，熔化温度为T1～T5；T5=1540～1560℃；熔化过程中，向铸锭炉内充入惰性气体并将炉内气压保持在Q1，Q1=550～650mbar；三、排杂，过程如下：第11步、降压：将铸锭炉气压由Q1降至Q2，降压时间为8～12min，Q2=350～450mbar；第12步、保压；第13步、升压及降温。本发明方法步骤简单、设计合理、实现方便且易于掌握、使用效果好，能将炉内含碳气体及时排出，并提高多晶硅铸锭质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 铸锭 料及 杂工 | ||
【主权项】：
一种多晶硅铸锭熔料及排杂工艺，其特征在于该工艺包括以下步骤：步骤一、预热：采用铸锭炉对装于坩埚内的硅料进行预热，并将所述铸锭炉的加热温度逐步提升至T1；预热时间为6h～10h，其中T1=1165℃～1185℃；步骤二、熔化：采用所述铸锭炉对装于坩埚内的硅料进行熔化，直至坩埚内的硅料全部熔化；熔化温度为T1～T5；其中T5=1540℃～1560℃；本步骤中熔化过程中，向所述铸锭炉内充入惰性气体并将所述铸锭炉内气压保持在Q1，其中Q1=550mbar～650mbar；步骤三、排杂，过程如下：第11步、降压：将所述铸锭炉的加热温度控制在T5，并将所述铸锭炉的气压由Q1降至Q2，降压时间为8min～12min；其中，Q2=350mbar～450mbar；第12步、保压：将所述铸锭炉的加热温度控制在T5，并将所述铸锭炉内气压保持在Q2，保压时间为10min～60min；第13步、升压及降温：先将所述铸锭炉的气压由Q2升至Q1，再将所述铸锭炉的加热温度由T5逐渐降至T6，其中T6为多晶硅结晶温度且T6=1420℃～1440℃。
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