[发明专利]一种多晶硅铸锭工艺有效

专利信息
申请号: 201410041955.1 申请日: 2014-01-28
公开(公告)号: CN103741214A 公开(公告)日: 2014-04-23
发明(设计)人: 周建华 申请(专利权)人: 西安华晶电子技术股份有限公司
主分类号: C30B28/06 分类号: C30B28/06;C30B29/06
代理公司: 西安创知专利事务所 61213 代理人: 谭文琰
地址: 710077 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种多晶硅铸锭工艺,包括步骤:一、预热;二、熔化;三、长晶:温度控制在T6并保温1h,T6=1420℃;隔热笼提升高度为90mm;温度控制在T6并保温2h,隔热笼提升高度不变;温度控制在T6并保温3h,隔热笼提升高度为110mm;温度由T6逐渐降至T7,降温时间为7~9h,隔热笼提升高度为210mm;T7=1405℃;温度控制在T7并保温7~9h,隔热笼提升高度不变;温度控制在T7并保温7~9h,隔热笼提升高度不变;温度由T7逐渐降至T8,隔热笼提升高度不变;T8=1395℃;四、退火及冷却。本发明步骤简单、设计合理、实现方便且易于掌握、使用效果好,能对铸锭长晶过程进行合理控制。
搜索关键词: 一种 多晶 铸锭 工艺
【主权项】:
一种多晶硅铸锭工艺,其特征在于该工艺包括以下步骤:步骤一、预热:采用铸锭炉对装于坩埚内的硅料进行预热,并将所述铸锭炉的加热温度逐步提升至T1;预热时间为6h~10h,其中T1=1165℃~1185℃;步骤二、熔化:采用所述铸锭炉对装于坩埚内的硅料进行熔化,直至坩埚内的硅料全部熔化;熔化温度为T1~T5;其中T5=1540℃~1560℃;本步骤中熔化过程中,向所述铸锭炉内充入惰性气体并将所述铸锭炉内气压保持在Q1,其中Q1=550mbar~650mbar;步骤三、长晶:将所述铸锭炉的加热温度由T5逐渐降至T6后,开始进行定向凝固并进入长晶过程,其中T6为多晶硅结晶温度且T6=1420℃~1440℃;长晶过程如下:步骤301、将所述铸锭炉的加热温度控制在T6,并保温50min~70min;本步骤中,所述铸锭炉的隔热笼提升高度为60mm~100mm;步骤302、将所述铸锭炉的加热温度控制在T6,并保温100min~140min;本步骤中,所述铸锭炉的隔热笼提升高度与步骤301中的提升高度相同;步骤303、将所述铸锭炉的加热温度控制在T6,并保温160min~200min;本步骤中,所述铸锭炉的隔热笼提升高度为105mm~115mm;步骤304、将所述铸锭炉的加热温度由T6逐渐降至T7,降温时间为7h~9h;本步骤中,所述铸锭炉的隔热笼提升高度为205mm~215mm;其中,T7=1405℃~1425℃;步骤305、将所述铸锭炉的加热温度控制在T7,并保温7h~9h;本步骤中,所述铸锭炉的隔热笼提升高度与步骤304中的提升高度相同;步骤306、将所述铸锭炉的加热温度控制在T7,并保温7h~9h;本步骤中,所述铸锭炉的隔热笼提升高度与步骤304中的提升高度相同;步骤307、将所述铸锭炉的加热温度由T7逐渐降至T8,降温时间为4h~5.5h;本步骤中,所述铸锭炉的隔热笼提升高度与步骤304中的提升高度相同;其中,T8=1395℃~1415℃;步骤四、退火及冷却:步骤三中长晶过程完成后,进行退火与冷却,并获得加工成型的多晶硅铸锭。
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