[发明专利]三维存储器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种三维存储器及其制造方法。该制造方法包括在基底上形成包括相互交替的多个半导体层与多个绝缘层的叠层结构；图案化叠层结构，以形成网状结构；网状结构具有在第一方向延伸的多个第一条状物与在第二方向延伸的多个第二条状物，第一与第二条状物交会；网状结构具有多个第一孔洞；在各第一孔洞中填入介电层；移除网状结构的至少部分第一条状物，以形成互相分开的多个第二孔洞及多个位线叠层结构；在各第二孔洞的侧壁与底部形成电荷储存层；在各第二孔洞的电荷储存层上形成在第三方向延伸的栅极柱；在栅极柱上形成多个在第一方向延的字线。

主权项

一种三维存储器的制造方法，包括：在一基底上形成一叠层结构，该叠层结构包括相互交替的多个半导体层与多个绝缘层；图案化该叠层结构，以形成一网状结构，该网状结构具有在一第一方向延伸的多个第一条状物与在一第二方向延伸的多个第二条状物，这些第一条状物与这些第二条状物交会，且该网状结构具有多个第一孔洞；在每一第一孔洞中填入一介电层；移除该网状结构的至少部分这些第一条状物，以形成多个第二孔洞以及多个位线叠层结构，这些位线叠层结构以这些第二孔洞分隔开；在每一第二孔洞的侧壁与底部形成一电荷储存层；在每一第二孔洞的该电荷储存层上形成在一第三方向延伸的一栅极柱；以及在这些栅极柱上形成多个字线，这些字线在该第一方向延伸。