[发明专利]金属栅极的形成方法有效
| 申请号： | 201410042195.6 | 申请日： | 2014-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN104810267B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 蒋莉;黎铭琦;朱普磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种金属栅极的形成方法，包括：提供衬底；形成伪栅结构、层间介质层；去除伪栅结构，以形成开口；在开口以及层间介质层上形成金属层；采用氧化气体对金属层表面进行处理，使位于层间介质层上方的部分金属层转化为金属氧化层；去除金属氧化层以及位于层间介质层上的金属层，保留位于开口中的金属层以形成金属栅极。本发明的有益效果在于，通过氧化气体对金属层表面进行处理，使位于层间介质层上方的部分金属层转化为性质稳定的金属氧化层，以阻挡在研磨过程中可能发生的无法控制的腐蚀。此外，氧化气体不含有氢氧根，可以使金属层直接转化为金属氧化层而不会形成其它中间产物，从而尽量避免金属层被氧化的深度过大。 | ||
| 搜索关键词： | 金属层 层间介质层 金属氧化层 金属栅极 氧化气体 金属层表面 开口 伪栅结构 去除 氢氧根 性质稳定 直接转化 研磨 衬底 转化 腐蚀 阻挡 保留 | ||
【主权项】：
1.一种金属栅极的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成伪栅结构；在所述衬底以及伪栅结构上形成层间介质层；去除所述伪栅结构，以在所述层间介质层中形成暴露出部分衬底的开口；在所述层间介质层的开口中，以及层间介质层上形成金属层；采用氧化气体对所述金属层表面进行处理，使位于所述层间介质层上方的部分金属层转化为金属氧化层,其中，采用氧化气体对金属层表面进行处理的步骤包括，采用所述氧化气体处理所述金属层表面的晶界的区域；去除所述金属氧化层以及位于所述层间介质层上的金属层，保留位于所述开口中的金属层以形成金属栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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