[发明专利]一种硅粉提纯用铸锭方法

摘要

本发明公开了一种硅粉提纯用铸锭方法，包括步骤：一、装料：将用硅粉压制成型的硅饼装入坩埚内作为铸锭硅料；二、预热；三、熔化，过程如下：第1步、保温；第2步至第5步、升温及加压；第6步、第一次升温及保压：温度提升至T3且升温时间为3～8h，T3=1450℃；第7步：第二次升温及保压：温度提升至T4且升温时间为3～8h，T4=1500℃；第8步、第三次升温及保压：温度提升至T5且升温时间为3～8h，T5=1550℃；第9步、保温；第10步、持续保温；四、长晶；五、退火及冷却。本发明步骤简单、设计合理且易于掌握、使用效果好，能使用低成本硅粉制成高转换效率铸锭产品，达到减少浪费、降低成本的目的。

主权项

一种硅粉提纯用铸锭方法，其特征在于该方法包括以下步骤：步骤一、装料：将用硅粉压制成型的硅饼（1）装入坩埚内作为铸锭用硅料；步骤二、预热：采用铸锭炉对装于坩埚内的硅料进行预热，并将所述铸锭炉的加热温度逐步提升至T1；预热时间为6h～10h，其中T1=1165℃～1185℃；步骤三、熔化：采用所述铸锭炉对装于坩埚内的硅料进行熔化，直至坩埚内的硅料全部熔化，且熔化过程如下：第1步、保温：将所述铸锭炉的加热温度控制在T1，并保温0.4h～0.6h；第2步至第5步、升温及加压：由先至后分四步将所述铸锭炉的加热温度由T1逐渐提升至T2，升温时间为0.4h～0.6h；升温过程中向所述铸锭炉内充入惰性气体并将所述铸锭炉的气压逐步提升至Q1；其中，T2=1190℃～1210℃；第6步、第一次升温及保压：将所述铸锭炉的加热温度由T2逐渐提升至T3且升温时间为3h～8h，升温过程中所述铸锭炉内气压保持在Q1；其中，T3=1440℃～1460℃；第7步：第二次升温及保压：将所述铸锭炉的加热温度由T3逐渐提升至T4且升温时间为3h～8h，升温过程中所述铸锭炉内气压保持在Q1；其中，T4=1490℃～1510℃；第8步、第三次升温及保压：将所述铸锭炉的加热温度由T4逐渐提升至T5且升温时间为3h～8h，升温过程中所述铸锭炉内气压保持在Q1；其中，T5=1540℃～1560℃；第9步、保温：将所述铸锭炉的加热温度控制在T5，并保温3.5h～4.5h；保温过程中，所述铸锭炉内气压保持在Q1；第10步、持续保温：将所述铸锭炉的加热温度控制在T5，并保温4h～8h，直至坩埚内的硅料全部熔化；保温过程中，所述铸锭炉内气压保持在Q1；步骤四、长晶：将所述铸锭炉的加热温度由T5逐渐降至T6后进行定向凝固，直至完成长晶过程；其中T6为多晶硅结晶温度且T6=1420℃～1440℃；步骤五、退火及冷却：步骤四中长晶过程完成后，进行退火与冷却，并获得提纯后的多晶硅铸锭。