[发明专利]半导体器件

摘要

本发明涉及一种半导体器件。包括具有沟道层、电子供应层、源电极和漏电极的高电子迁移率晶体管，使得具有：帽层，其形成于在源电极和漏电极之间的电子供应层上，并且具有倾斜的侧表面；绝缘膜，其在帽层的上表面上具有开口部，并且覆盖其侧表面；以及，栅电极，其形成在开口部中，并且经由绝缘膜在漏电极侧的帽层的侧表面上面延伸。在漏电极侧具有突出部的栅电极可以减小峰值电场。

主权项

1.一种具有场效应晶体管的半导体器件，包括：沟道层，所述沟道层具有第一氮化物半导体层，电子供应层，所述电子供应层形成在所述沟道层上面，并且具有第二氮化物半导体层，所述第二氮化物半导体层具有与所述第一氮化物半导体层的带隙不同的带隙，源电极，所述源电极形成在所述电子供应层上面，漏电极，所述漏电极形成在所述电子供应层上面，并且与所述源电极分离，帽层，所述帽层具有p型半导体层、形成在所述源电极和所述漏电极之间的所述电子供应层上面，并且具有倾斜的侧表面，绝缘膜，所述绝缘膜在所述帽层的上表面上具有开口，并且覆盖所述帽层的侧表面，以及栅电极，所述栅电极形成在所述开口部中，并且经由所述绝缘膜在所述漏电极侧的所述帽层的侧表面上面延伸，其中，所述栅电极的从所述开口部的中心部分至所述栅电极的在所述漏电极侧的端部的距离大于所述栅电极的从所述开口部的中心部分至所述栅电极的在所述源电极侧的端部的距离，并且其中，从所述帽层的在所述漏电极侧的端部至所述栅电极的在所述漏电极侧的端部的距离LF和从所述帽层的在所述漏电极侧的端部至所述漏电极的距离Lgd满足下面的范围：0.05μm≤LF≤Lgd/2。