[发明专利]功率器件电极及其制造方法在审
| 申请号： | 201410042915.9 | 申请日： | 2014-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN104810391A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 李理;马万里;赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/43 | 分类号： | H01L29/43;H01L29/41;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种功率器件电极及其制造方法，其中，方法包括：在硅片上依次生成第一钛层、钨钛合金层和第二钛层；在氮气和氢气的混合气体中，对所述硅片进行高温退火处理，以使所述第一钛层通过与所述硅片反应形成位于所述硅片表面和所述钨钛合金层之间的硅钛化合物层、并形成位于所述第二钛层表面的氮化钛层；在所述氮化钛层的表面铺设金属互联层。通过本发明提供的功率器件电极及其制造方法，能够在高温大电流的应用场景下，有效保证并提高器件的器件性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 器件 电极 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率器件电极制造方法，其特征在于，包括： 在硅片上依次生成第一钛层、钨钛合金层和第二钛层； 在氮气和氢气的混合气体中，对所述硅片进行高温退火处理，以使所述第一钛层通过与所述硅片反应形成位于所述硅片表面和所述钨钛合金层之间的硅钛化合物层、并形成位于所述第二钛层表面的氮化钛层； 在所述氮化钛层的表面铺设金属互联层。
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