[发明专利]全铝掺杂N型太阳能电池的制备方法

摘要

本发明的全铝掺杂N型太阳能电池的制备方法，包括：提供一个N型半导体衬底；在N型半导体衬底正面形成N⁺层；在N⁺层上形成氮化硅薄膜；在N型半导体衬底背面形成全铝背场；在氮化硅薄膜上制备正电极；对N型半导体衬底进行高温烧结，使正电极与N⁺层相接触，并在N型半导体衬底背面形成P型层；在全铝背场表面制备背电极；低温烧结背电极。本发明的制备方法，采用全背场网版进行印刷，经高温烧结能够形成良好的PN结，从而提高了太阳能电池的光电性能；经过低温烧结制备出背电极，克服了传统银铝背电极只能在高温下完成烧结的问题，由于背电极烧结深度低，不会对PN结产生影响，能够进行后期组件焊接，且符合组件加工力学性能指标。

主权项

一种全铝掺杂N型太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一个N型半导体衬底；步骤S02：在所述N型半导体衬底的正面形成N+层；步骤S03：在所述N+层上形成氮化硅薄膜；步骤S04：在所述N型半导体衬底的背面形成全铝背场；步骤S05：在所述氮化硅薄膜上制备正电极；步骤S06：对所述N型半导体衬底进行高温烧结，使所述正电极与所述N+层相接触，并在所述N型半导体衬底的背面形成P型层；步骤S07：在所述全铝背场表面制备背电极；步骤S08：低温烧结所述背电极。