[发明专利]用于高效钝化硅太阳能电池的原位硅表面预清洗无效
申请号: | 201410043823.2 | 申请日: | 2014-01-29 |
公开(公告)号: | CN103972327A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | S·盛;L·张;H·K·波内坎蒂 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/02;B08B7/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆嘉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的实施方式一般涉及用于制造光生伏打装置的方法,以及更具体地涉及用于原位清洗太阳能电池基板的方法。在一个实施方式中,提供了一种制造太阳能电池装置的方法。所述方法包括以下步骤:将单结晶硅基板或多结晶硅基板暴露于湿法清洗工艺,以清洗所述结晶基板的表面,将所述结晶硅基板装载入具有真空环境的处理系统;在所述处理系统的所述真空环境中,将所述结晶硅基板的至少一个表面暴露于原位清洗工艺;以及在所述处理系统中,在所述结晶硅基板的至少一个表面上形成一或多个钝化层。 | ||
搜索关键词: | 用于 高效 钝化 太阳能电池 原位 表面 清洗 | ||
【主权项】:
一种制造太阳能电池装置的方法,包括:将单结晶硅基板或多结晶硅基板暴露于湿法清洗工艺,以清洗所述结晶硅基板的表面;将所述结晶硅基板装载入具有真空环境的处理系统;在所述处理系统的所述真空环境中,将所述结晶硅基板的至少一个表面暴露于原位清洗工艺;以及在所述处理系统的所述真空环境中,在所述结晶硅基板的所述至少一个表面上形成一或多个钝化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的