[发明专利]一种半导体硅片双面退火方法及装置

摘要

本发明属于半导体制造设备和技术领域，具体涉及一种半导体硅片双面退火方法及装置。所述方法，先进行硅片正面和背面离子注入，然后进行硅片正面和背面同时退火，最后完成硅片正面金属连接层、金属层和钝化层工艺。所述装置包括正面退火设备、背面退火设备和设置在两者之间用于承载硅片的环状硅片夹具。本发明提供的技术方案与现有技术相比具有以下优点：采用退火发射极原理，将两次退火合并为一次退火完成，相应金属和钝化层最后完成；避免了传统单次背面退火工艺硅片不能自动翻转问题，目前技术由人工借助吸笔完成；除了有效提高硼和磷的激活率外，还可以调节缓冲区的深度和宽度；简化了生产工序，同时提高了设备利用率，也降低了制造成本。

主权项

1.一种半导体硅片双面退火方法，其特征在于，当半导体硅片背面采用硼和磷掺杂形成场截止层时，具体包括以下步骤：首先完成正面的离子注入工序；然后完成背面磷掺杂；其次从半导体硅片上面和下面同时对正面和背面进行双面退火，完成正背面掺杂离子的激活和调节背面缓冲层的深度和宽度；之后完成背面硼掺杂并再次对背面进行单面退火；最后完成硅片正面金属连接层、金属层和钝化层工艺。