[发明专利]SMU RF晶体管稳定性装置

摘要

本发明涉及SMU RF晶体管稳定性装置。一种RF测试方法和系统，通过所述RF测试方法和系统DC测量路径还能够表现得像适当地端接的RF路径一样。实现这个需要输出HI、LO以及感测HI导体以频率选择性方式被端接，使得所述端接不影响SMU DC测量。一旦所有SMU输入/输出阻抗被控制以及适当地端接以消除反射，只要仪器维持与仪器对仪器的高绝缘(单独的仪器被用在栅极和漏极上，或者在所述器件的输入端和输出端上)，高速器件就将在器件测试期间不再振荡。HI、HO以及感测HI导体的输出端经由三个三轴电缆被耦合到所述DUT的各个节点，所述三个三轴电缆的所述外屏蔽被彼此耦合并且耦合到SMU接地。

主权项

1.一种用于测试被测试器件(DUT)的方法，包括：将包括至少三个测试点的第一源测量单元SMU连接到第一组至少三个三轴电缆，每个三轴电缆至少具有中心信号导体、外屏蔽、中间导体以及接地端子，以便使得所述三个测试点中的每一个都被分别连接到第一组三个三轴电缆中的每一个的中心信号导体的第一端，并且其中第一组三轴电缆的外屏蔽中的每一个外屏蔽与接地端子电力耦合在一起；将第一组三轴电缆中的每一个的第二端连接到被测试器件的一组节点；将包括至少三个测试点的第二SMU连接到第二组至少三个三轴电缆，并且所述第二SMU具有中心信号导体、外屏蔽、中间导体以及接地端子以便使得三个测试点中的每一个都分别连接到第二组三个三轴电缆中的每一个的中心信号导体的第一端，并且其中第二组三轴电缆的外屏蔽中的每一个都与接地端电力地耦合在一起；将第二组三轴电缆中的每一个的第二端连接到被测试器件的一组节点；其中，所述第一组三轴电缆和第二组三轴电缆的外屏蔽电力地耦合在一起并且电力地耦合到它们相应的接地端子，其中第一SMU和第二SMU进一步包括：电力地耦合到第一测试点的第一输入端子，所述第一输入端子具有：电力地与第一输入端子串联耦合的第一端接电阻器；电力地与第一端接电阻器串联耦合的第一保护电容器和第二保护电容器；电力地与第一保护电容器和第二保护电容器耦合的第一保护电阻器；电力地与它相应的接地端子串联耦合的接地电容器；电力地耦合到第二测试点的第二输入端子，所述第二输入端子具有：电力地与第二输入端子串联耦合的第二端接电阻器；电力地与第二端接电阻器串联耦合的第三保护电容器和第四保护电容器；电力地与第三保护电容器和第四保护电容器耦合的第二保护电阻器；以及电力地耦合到第一输入端子、第二输入端子以及第三测试点的第三输入端子，并且其中第三输入端子还电力地耦合到接地电容器及其相应的接地端子。