[发明专利]包括传感增强层的磁性传感器件在审
| 申请号： | 201410045202.8 | 申请日： | 2006-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN103761977A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | Z·高;B·W·卡尔;S·薛;E·L·格兰斯通;K·T·特兰;Y·X·李 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;G01R33/09;B82Y10/00;B82Y25/00;H01F10/32;H01L43/08 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请涉及包括传感增强层的磁性传感器件，该磁性传感器包括传感器叠层，该传感器叠层包括第一磁性部分、第二磁性部分以及在第一磁性部分和第二磁性部分之间的阻挡层。第一磁性部分和第二磁性部分中的至少一个包括多层结构，该多层结构具有毗邻阻挡层并带有正磁致伸缩的第一磁性层、第二磁性层、以及在第一磁性层和第二磁性层之间的中间层。该磁性传感器在磁性传感器具有约1.0Ω·μm2的电阻-面积（RA）积时呈现出至少约80％的磁阻比。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 传感 增强 磁性 器件 | ||
【主权项】：
一种磁性传感器，包括：传感器叠层，所述传感器叠层包括第一磁性部分、第二磁性部分以及在第一磁性部分和第二磁性部分之间的阻挡层，其中所述第一磁性部分和第二磁性部分中的至少一个包括多层结构，所述多层结构具有毗邻所述阻挡层并带有正磁致伸缩的第一磁性层、第二磁性层、以及在所述第一磁性层和所述第二磁性层之间的中间层，并且其中所述磁性传感器在所述磁性传感器具有约1.0Ω·μm2的电阻‑面积RA积时呈现出至少约80％的磁阻比。
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