[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体器件及其形成方法，其中，半导体器件的形成方法包括提供衬底，所述衬底表面具有介质层，所述介质层内具有六个开口，开口的侧壁和底部表面具有栅介质层，所述栅介质层表面具有覆盖层；在第一开口和第二开口内的覆盖层表面形成第一功函数层；在第一开口内的第一功函数层表面、以及第五开口和第六开口的覆盖层表面形成扩散层；进行退火工艺，使扩散层的材料扩散入第一功函数层和覆盖层内，在第一开口内形成掺杂功函数层，在第五开口和第六开口内形成掺杂覆盖层；之后去除扩散层，在第四开口的覆盖层和第五开口的掺杂覆盖层表面形成第二功函数层；之后在六个开口内形成第三功函数层和金属栅。所述方法简单，形成的半导体器件性能改善。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有介质层，所述介质层内具有第一开口、第二开口、第三开口、第四开口、第五开口和第六开口，所述第一开口、第二开口、第三开口、第四开口、第五开口和第六开口的侧壁和底部表面具有栅介质层，所述栅介质层表面具有覆盖层，由第一开口、第二开口和第三开口形成的晶体管类型相对于由第四开口、第五开口和第六开口形成的晶体管类型相反；在第一开口和第二开口内的覆盖层表面形成第一功函数层，所述覆盖层的功函数类型与第一功函数层相同；在第一开口内的第一功函数层表面、以及第五开口和第六开口的覆盖层表面形成扩散层，所述扩散层的功函数类型与第一功函数层相反；进行退火工艺，使扩散层的材料扩散入第一功函数层和覆盖层内，在第一开口内形成掺杂功函数层，在第五开口和第六开口内形成掺杂覆盖层；在退火工艺之后，去除剩余的扩散层，并在第四开口的覆盖层表面和第五开口的掺杂覆盖层表面形成第二功函数层，所述第二功函数层的功函数类型与第一功函数层相反；在形成第二功函数层之后，在第一开口、第二开口、第三开口、第四开口、第五开口和第六开口内形成第三功函数层、以及位于第三功函数层表面的金属栅，所述第三功函数层的功函数类型与第一功函数层相同。