[发明专利]一种提高半导体器件键合可靠性的方法有效
| 申请号： | 201410045835.9 | 申请日： | 2014-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN104835748B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 张楠生 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高半导体器件键合可靠性的方法，包括步骤：首先，提供进行高温筛选测试后的半导体晶圆，所述半导体晶圆包括至少两个半导体器件单元，其中，每个半导体器件单元表面形成具有残留颗粒的焊垫；采用刻蚀工艺去除所述焊垫上的残留颗粒；最后，在所述焊垫表面进行引线键合。本发明提供的提高半导体器件键合可靠性的方法是在进行了半导体晶圆的高温筛选测试之后，增加一道刻蚀步骤，用于去除焊垫表面的残留颗粒，保证焊垫表面的平整度，从而提高半导体器件的键合可靠性，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 半导体器件 可靠性 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高半导体器件键合可靠性的方法，其特征在于，所述提高半导体器件键合可靠性的方法至少包括步骤：1)提供进行高温筛选测试后的半导体晶圆，所述半导体晶圆包括至少两个半导体器件单元，其中，每个半导体器件单元表面形成具有残留颗粒的焊垫；2)采用刻蚀工艺去除所述焊垫上的残留颗粒以及与所述残留颗粒相接触的部分所述焊垫，其中，采用干法刻蚀工艺进行刻蚀，或者采用稀释的氢氟酸溶液进行湿法刻蚀；3)在所述焊垫表面进行引线键合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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