[发明专利]功率器件有效
申请号: | 201410045884.2 | 申请日: | 2014-02-08 |
公开(公告)号: | CN104835812B | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 郑玉宁;陈建国;杜蕾 | 申请(专利权)人: | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 100871 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种功率器件,包括外延层、位于所述外延层中的器件区和位于所述器件区外围的终端结构;其中,所述终端结构包括位于所述器件区的外围,且位于所述外延层的表面内的变掺杂环区,所述变掺杂环区的导电类型与所述外延层的导电类型相反,所述变掺杂环区的掺杂浓度从其靠近所述器件区的区域向其外围区域递减;覆盖所述变掺杂环区的掺杂浓度发生变化的区域表面的场氧化层;覆盖所述场氧化层表面的第一介质层;位于所述第一介质层表面上的至少一个第一金属层,所述第一金属层分别位于所述变掺杂环区的掺杂浓度发生变化的区域上方。本发明提供的功率器件,能改善浓度变化区域的电场分布,提高器件耐压性能。 | ||
搜索关键词: | 功率 器件 | ||
【主权项】:
一种功率器件,其特征在于,包括:外延层、位于所述外延层中的器件区和位于所述器件区外围的终端结构;其中,所述终端结构包括:位于所述器件区的外围,且位于所述外延层的表面内的变掺杂环区,所述变掺杂环区的导电类型与所述外延层的导电类型相反,所述变掺杂环区的掺杂浓度从其靠近所述器件区的区域向其外围区域递减;覆盖所述变掺杂环区的掺杂浓度发生变化的区域表面的场氧化层;覆盖所述场氧化层表面的第一介质层;位于所述第一介质层表面上的至少一个第一金属层,所述第一金属层分别位于所述变掺杂环区的掺杂浓度发生变化的区域上方;所述终端结构还包括:覆盖所述器件区的边缘区域表面的第二介质层,所述第一介质层位于所述第二介质层的外围且未与所述第二介质层接触,且所述第二介质层和所述场氧化层未接触;位于所述外延层的表面上,填充在所述第一介质层和所述第二介质层之间的第二金属层;位于所述第一介质层的外围,覆盖所述外延层表面的第三介质层,所述第三介质层未与所述第一介质层接触;位于所述外延层的表面上,填充在所述第一介质层和所述第三介质层之间的第三金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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