[发明专利]CdTe/CdS/ZnS/SiO2量子点的制备方法无效
| 申请号： | 201410046859.6 | 申请日： | 2014-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN103773358A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 胡琴;魏芳弟;刘丽云;许贯虹;杨静;周萍;刘利萍 | 申请（专利权）人： | 南京医科大学 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/88 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 曹翠珍 |
| 地址： | 210029 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CdTe/CdS/ZnS/SiO2量子点的制备方法。首先在水相中，由醋酸镉、巯基丙酸和碲氢化钠合成单核CdTeQDs；然后，将冷却至室温的CdTeQDs的反应液转移至含有醋酸镉、硫酸锌和巯基丙酸的pH9.0-10.0的前驱液中，搅拌混合均匀，加入硫化钠溶液，回流反应，合成双壳CdTe/CdS/ZnSQDs；最后，直接在CdTe/CdS/ZnSQDs的反应液中，加入正硅酸四乙酯，回流反应，合成CdTe/CdS/ZnS/SiO2QDs。本发明采用直接法合成CdTe/CdS/ZnS/SiO2QDs，操作简单、条件温和、成本低、环保。合成产物CdTe/CdS/ZnS/SiO2QDs水溶性好、稳定性高、大小均一、光学性能优异。 | ||
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【主权项】：
CdTe/CdS/ZnS/SiO2 QDs的制备方法，其特征在于步骤如下：称取碲粉、NaBH4于第一个反应容器中，在氮气氛围下，注入新煮沸放冷的蒸馏水，搅拌，反应至黑色碲粉完全消失，得到淡粉色NaHTe溶液；在第二个反应容器中加入蒸馏水，然后依次加入 Cd2+母液、巯基丙酸，调节pH 至9.0‑10.0；将步骤（1）得到的NaHTe溶液加入第二个反应容器中，反应液总体积控制在50 mL，在氮气的保护下90~110℃回流反应3~5h，合成单核CdTe QDs，冷却至室温，备用；在第三个反应器中，加入蒸馏水，然后依次加入 Cd2+母液、Zn2+母液、巯基丙酸，调节pH 至9.0‑10.0，反应液总体积控制在45 mL；将步骤（2）合成的CdTe QDs溶液转移至第三个反应器中，搅拌混合均匀，加入硫化钠溶液5 mL，在氮气的保护下90‑110℃回流反应3‑5h后，直接加入正硅酸四乙酯，继续回流反应；将所得反应液旋转蒸发至水挥发完毕，用无水乙醇洗去未反应的物质，得到CdTe/CdS/ZnS/SiO2 QDs，粒径4~12 nm。
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