[发明专利]抑制P型特高阻硅单晶材料表面高温反型的方法有效
| 申请号： | 201410046927.9 | 申请日： | 2014-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN103746045A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 黄烈云;向勇军;王昊璇;李睿智;许宏 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 侯懋琪;侯春乐 |
| 地址： | 400060 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 一种抑制P型特高阻硅单晶材料表面高温反型的方法，其创新在于：1）采用高温栅氧化工艺，在P型特高阻硅单晶材料表面的待处理区域上生长一定厚度的二氧化硅薄膜，所述二氧化硅薄膜即形成硼离子注入阻挡层；2）采用硼离子注入工艺，对P型特高阻硅单晶材料表面覆盖有硼离子注入阻挡层的区域进行浅结掺杂处理；3）采用二氧化硅腐蚀液将硼离子注入阻挡层腐蚀掉，处理完成。本发明的有益技术效果是：可提高P型特高阻硅单晶材料发生反型的难度，抑制高温热氧化工艺对P型特高阻硅单晶材料造成的反型效果。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 型特高阻硅单晶 材料 表面 高温 方法 | ||
【主权项】：
一种抑制P型特高阻硅单晶材料表面高温反型的方法，其特征在于：1）采用高温栅氧化工艺，在P型特高阻硅单晶材料（3）表面的待处理区域上生长一定厚度的二氧化硅薄膜，所述二氧化硅薄膜即形成硼离子注入阻挡层（4）；2）采用硼离子注入工艺，对P型特高阻硅单晶材料（3）表面覆盖有硼离子注入阻挡层（4）的区域进行浅结掺杂处理；3）采用二氧化硅腐蚀液将硼离子注入阻挡层（4）腐蚀掉，处理完成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
