[发明专利]为原子层沉积(ALD)工艺供应前体的系统和方法有效
申请号: | 201410047902.0 | 申请日: | 2014-02-11 |
公开(公告)号: | CN104611683B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 谢博全;黄建国;黄泰钧;许光源;李资良 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了为原子层沉积(ALD)工艺供应前体材料的系统和方法。气体供给部将一种或多种前体材料提供给沉积室。沉积室通过输入管线接收一种或多种前体材料。气体循环系统连接至沉积室的输出管线。气体循环系统包括气体成分检测系统,该气体成分检测系统被配置为产生表示通过输出管线离开沉积室的气体的成分的输出信号。气体循环系统也包括循环管线,该循环管线被配置为将离开沉积室的气体传输至输入管线。控制器连接至气体供给部。该控制器基于气体成分检测系统的输出信号控制气体供给部的一种或多种前体材料的供给。 | ||
搜索关键词: | 原子 沉积 ald 工艺 供应 系统 方法 | ||
【主权项】:
一种为原子层沉积(ALD)工艺供应前体材料的系统,所述系统包括:气体供给部,用于给沉积室提供一种或多种前体材料,所述沉积室通过所述沉积室的输入管线接收所述一种或多种前体材料;气体循环系统,连接至所述沉积室的输出管线,所述气体循环系统包括:气体成分检测系统,被配置为产生表示通过所述输出管线离开所述沉积室的气体的成分的输出信号,和循环管线,被配置为将离开所述沉积室的气体传输至所述输入管线,所述循环管线使得离开所述沉积室的气体被传输回所述沉积室;以及控制器,连接至所述气体供给部,所述控制器基于所述气体成分检测系统的所述输出信号来控制所述气体供给部对所述一种或多种前体材料的供给;其中,所述气体循环系统还包括过滤器,所述过滤器被配置为在将所述气体传输回所述沉积室之前,去除离开所述沉积室的气体中的污染物或颗粒,所述气体循环系统还包括旁路管线,所述旁路管线允许离开所述沉积室的气体在不通过所述过滤器的情况下被传输回所述沉积室。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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