[发明专利]等离子体处理绝缘材料提高真空沿面耐压性能的方法有效
| 申请号： | 201410047959.0 | 申请日： | 2014-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN103834052A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 邵涛;牛铮;章程;杨文晋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | C08J7/00 | 分类号： | C08J7/00;C08J7/12 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 关玲 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种等离子体处理绝缘材料提高真空沿面耐压性能的方法，所述的方法利用金属电极在脉冲电源激励下放电产生低温等离子体，在有机玻璃表面形成憎水表面结构；改变有机玻璃绝缘材料表面的粗糙度和表面能，通过表面改性降低二次电子发射系数，从而提高有机玻璃在真空条件下的沿面耐压性能。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 绝缘材料 提高 真空 耐压 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理绝缘材料提高真空沿面耐压性能的方法，其特征在于，所述的方法利用金属电极在脉冲电源激励下放电产生等离子体，在有机玻璃表面形成憎水表面结构；通过等离子体中高能粒子的刻蚀作用和等离子体中的活性离子在绝缘材料表面发生的聚合和接枝作用，提高了绝缘材料表面的粗糙度，改变了绝缘材料表面的分子结构，降低了材料表面能，降低了材料的二次电子发射系数，从而提高了绝缘材料在真空条件下的沿面耐压性能。
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