[发明专利]沟槽型功率器件的制造方法在审
| 申请号： | 201410047980.0 | 申请日： | 2014-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN104835740A | 公开（公告）日： | 2015-08-12 |
| 发明（设计）人： | 李理;马万里;赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种沟槽型功率器件的制造方法，包括：在具备沟槽的半导体衬底的沟槽内形成栅极结构，所述半导体衬底的导电类型为第一导电类型；向所述半导体衬底依次进行第一次离子注入和第二次离子注入，所述第一次离子注入和所述第二次离子注入的杂质均为第二导电类型的杂质，以形成导电类型为所述第二导电类型的体区，其中，所述第二次离子注入的能量高于所述第一次离子注入的能量，所述第二次离子注入的剂量低于所述第一次离子注入的剂量；向所述体区注入第一导电类型的杂质，并对所述半导体衬底进行退火处理，以形成位于所述体区内且导电类型为所述第一导电类型的源区。通过本发明提供的制造方法，能有效减小器件的导通电阻，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 功率 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽型功率器件的制造方法，其特征在于，包括：在具备沟槽的半导体衬底的所述沟槽内形成栅极结构，所述半导体衬底的导电类型为第一导电类型；向所述半导体衬底依次进行第一次离子注入和第二次离子注入，所述第一次离子注入和所述第二次离子注入的杂质均为第二导电类型的杂质，以形成导电类型为所述第二导电类型的体区，其中，所述第二次离子注入的能量高于所述第一次离子注入的能量，所述第二次离子注入的剂量低于所述第一次离子注入的剂量；向所述体区注入第一导电类型的杂质，并对所述半导体衬底进行退火处理，以形成位于所述体区内且导电类型为所述第一导电类型的源区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司，未经北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410047980.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于半导体基板的电镀方法
- 下一篇：选择性地抛光碳化硅膜的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
