[发明专利]制造第III族氮化物半导体的方法

摘要

提供了一种具有降低的穿透位错密度和均匀的Ga极性表面的第III族氮化物半导体。在比形成构成缓冲层的元素的氧化物的温度低的温度下，在包含作为必要元素的Al的缓冲层上形成盖层。在比体半导体的晶体生长的温度高的温度下，对缓冲层被盖层覆盖的衬底进行热处理而不露出缓冲层的表面。将衬底温度降低至体半导体的晶体进行生长的温度，并且生长所述体半导体。

主权项

一种在由与第III族氮化物半导体不同的材料制成的衬底上生长第III族氮化物半导体的方法，所述方法包括：在所述衬底上形成多晶、非晶或多晶/非晶混合状态的含有作为必要元素的Al的AlN或Al_xIn_yGa_1‑x‑yN（0<x<1，0≤y<1，0<x+y≤1）的缓冲层；在比形成构成所述缓冲层的元素的氧化物的温度低的温度下，在所述缓冲层上形成Al组成比低于所述缓冲层的Al组成比的1/2的Al_vIn_wGa_1‑v‑wN（0<v<1，0≤w<1，0<v+w≤1）、In_uGa_1‑uN（0<u≤1）或GaN的盖层；在比包括第III族氮化物半导体的体半导体的晶体生长的温度高的热处理温度下，对具有被所述盖层覆盖的所述缓冲层的所述衬底进行热处理，而不露出所述缓冲层的表面；以及在所述热处理之后，将所述衬底的温度降低至所述体半导体的晶体生长的温度，并且在被所述盖层覆盖的所述缓冲层或露出的缓冲层上生长所述体半导体。