[发明专利]第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201410048599.6 | 申请日： | 2014-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN103996762A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 奥野浩司 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;吴鹏章 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种通过使发光层中生成的压电场弛豫而未使发光层的结晶质量劣化来实现表现出高发光效率的第III族氮化物半导体器件及其制造方法。发光器件具有层单元重复沉积的发光层。每个层单元包括依下述顺序沉积在n侧超晶格层上的AlGaN层、n型InGaN层、InGaN层、GaN层以及AlGaN层。n型InGaN层以1×1017/cm3至3×1018/cm3的Si浓度掺杂有Si。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种第III族氮化物半导体发光器件，包括：具有层单元的发光层；n型半导体层；以及p型半导体层，其中：所述层单元具有至少阱层和势垒层；所述阱层具有第一半导体层以及布置在所述阱层的n型半导体层侧上的第二半导体层；所述第一半导体层为包含至少In和Ga的第III族氮化物半导体层；以及所述第二半导体层为包含至少In和Ga的掺杂Si的第III族氮化物半导体的n型半导体层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于丰田合成株式会社，未经丰田合成株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410048599.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
