[发明专利]一种波导交叉单元及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201410048787.9 申请日: 2014-02-12
公开(公告)号: CN103777273A 公开(公告)日: 2014-05-07
发明(设计)人: 刘陈;魏玉明;刘德明 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: G02B6/125 分类号: G02B6/125;G02B6/13
代理公司: 北京华沛德权律师事务所 11302 代理人: 刘杰
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供的一种波导交叉单元及其制作方法,其中,基于SOI的波导交叉单元包括:衬底、下层光波导、上层光波导、中间层及隔离层;下层光波导与上层光波导呈桥式结构相互交叉设置在衬底上;隔离层设置在衬底的中间部位处,中间层分别设置在下层光波导、隔离层的上表面,上层光波导设置在中间层的上表面;下层光波导与上层光波导的折射率相同;中间层的折射率小于下层光波导的折射率;隔离层的折射率小于下层光波导的折射率;衬底的折射率小于下层光波导的折射率;隔离层的折射率小于中间层的折射率;本发明具有低损耗、低串扰的结构特点。
搜索关键词: 一种 波导 交叉 单元 及其 制作方法
【主权项】:
一种波导交叉单元,其特征在于,包括:衬底、下层光波导、上层光波导、中间层及隔离层;所述下层光波导与所述上层光波导呈桥式结构相互交叉设置在所述衬底上;所述隔离层设置在所述衬底的中间部位处,且覆盖所述下层光波导的位于所述衬底中间部位的部分的上表面;所述中间层分别设置在所述下层光波导和所述隔离层的上表面,且覆盖所述衬底;所述上层光波导设置在所述中间层的上表面;所述下层光波导与所述上层光波导的折射率相同;所述中间层的折射率小于所述下层光波导的折射率;所述隔离层的折射率小于所述下层光波导的折射率;所述衬底的折射率小于所述下层光波导的折射率;所述隔离层的折射率小于所述中间层的折射率;所述衬底、所述下层光波导、所述上层光波导及所述中间层构成波导交叉单元的垂直耦合部分,所述垂直耦合部分由下至上依次为:所述衬底、所述下层光波导、所述中间层、所述上层光波导;所述衬底、所述下层光波导、所述上层光波导、所述中间层及所述隔离层构成波导交叉单元的交叉部分,所述交叉部分由下至上依次为:所述衬底、所述下层光波导、所述隔离层、所述中间层和所述上层光波导。
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