[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种使用Sn-高Sb焊锡材料对绝缘电路基板与半导体芯片等进行焊接，并能获得空隙较少的良好的接合状态的焊接方法。对于表面的氧化膜较厚、浸润性较差的Sn-高Sb类焊锡材料，使用形成为可减少表面积的U字形状的焊锡板，来进行绝缘电路基板与半导体芯片等之间的焊锡接合，从而能够形成氧化膜较少，难以产生空隙的良好的焊锡接合面。并且，在形成为U字形状的焊锡板上层叠半导体芯片，在焊锡熔融前的状态下，在半导体芯片及绝缘电路基板的焊锡接合面的中央部设置有间隙，从而增大了与氢气之间的接触面积，因此能够提高还原反应对焊锡接合面的清洁效果。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：准备具有U字形状的焊锡板的工序；在基板上放置所述焊锡板的工序；在所述焊锡板上放置半导体芯片的工序；在还原性气体的气氛中对所述焊锡板进行熔融的工序；以及减压工序，在该减压工序中，在所述焊锡板熔融后将所述还原性气体的气氛的气压降低至低于大气压的气压。