[发明专利]光罩式只读存储器

摘要

一种新颖的光罩式只读存储器，包括二种不同状态的存储单元结构。于光罩式只读存储器制作完成并出厂后，光罩式只读存储器内部可以储存二种状态。二种状态可对应至二种不同的存储单元结构，其中一种存储单元结构记录第一状态(例如逻辑“1”)，而另一种存储单元结构记录第二状态(例如逻辑“0”)。

主权项

一种光罩式只读存储器，包括：一基板；一第一栅极结构，形成于该基板的一表面上，用以在一读取周期接收一字线电压；一第二栅极结构，形成于该基板的该表面上，用以在该读取周期接收一读取电压；一第三栅极结构，形成于该基板的该表面上；一第一扩散区，形成于该基板的该表面下且相邻于该第一栅极结构的一第一侧，用以在该读取周期产生一第一位线电压；一第二扩散区，形成于该基板的该表面下方且相邻于该第一栅极结构的一第二侧、该第二栅极结构的一第一侧、该第三栅极结构的一第一侧；一第四栅极结构，形成于该基板的该表面上，用以在该读取周期接收该字线电压；一第五栅极结构，形成于该基板的该表面上，用以在该读取周期接收该读取电压；一第六栅极结构，形成于该基板的该表面上；一第三扩散区，形成于该基板的该表面下且相邻于该第四栅极结构的一第一侧，用以在该读取周期产生一第二位线电压；以及一第四扩散区，形成于该基板的该表面下方且相邻于该第四栅极结构的一第二侧、该第五栅极结构的一第一侧、该第六栅极结构的一第一侧，用以在该读取周期接收该读取电压；其中，该第一位线电压相异于该第二位线电压。