[发明专利]半导体集成电路装置有效

专利信息
申请号: 201410049847.9 申请日: 2014-02-13
公开(公告)号: CN104009033B 公开(公告)日: 2019-03-22
发明(设计)人: 有山稔 申请(专利权)人: 艾普凌科有限公司
主分类号: H01L27/04 分类号: H01L27/04
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;马建军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种熔断器电路和半导体集成电路装置,该熔断器电路用简洁的电路结构将面积和成本抑制到最低限度。将形状大致相同而方块电阻不同的第一熔断器和第二熔断器串联连接在不同电位的端子之间来构成熔断器电路,在不切断熔断器的状态下,将输出端子的电位固定于任意一个端子的电位。
搜索关键词: 熔断器 电路 半导体 集成电路 装置
【主权项】:
1.一种半导体集成电路装置,其集成在半导体基板上,其特征在于,所述半导体集成电路装置具有熔断器电路以及与所述熔断器电路的输出端子连接的开关电路,所述熔断器电路具有串联连接在第一电位的第一端子与第二电位的第二端子之间的相同布局形状的第一熔断器和第二熔断器,构成所述第一熔断器的电阻体的方块电阻大于构成所述第二熔断器的电阻体的方块电阻,设所述第一熔断器与所述第二熔断器的连接点为所述输出端子,在没有切断所述第一熔断器和所述第二熔断器中的任何熔断器的状态下,所述输出端子的电位成为与所述第一电位和所述第二电位的中点电位相比更接近所述第二电位的电位,所述开关电路构成为在所述输出端子的电位为与所述中点电位相比更接近所述第一电位的电位时接通,在所述输出端子的电位为与所述中点电位相比更接近所述第二电位的电位时断开。
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