[发明专利]半导体集成电路装置有效
申请号: | 201410049847.9 | 申请日: | 2014-02-13 |
公开(公告)号: | CN104009033B | 公开(公告)日: | 2019-03-22 |
发明(设计)人: | 有山稔 | 申请(专利权)人: | 艾普凌科有限公司 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;马建军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种熔断器电路和半导体集成电路装置,该熔断器电路用简洁的电路结构将面积和成本抑制到最低限度。将形状大致相同而方块电阻不同的第一熔断器和第二熔断器串联连接在不同电位的端子之间来构成熔断器电路,在不切断熔断器的状态下,将输出端子的电位固定于任意一个端子的电位。 | ||
搜索关键词: | 熔断器 电路 半导体 集成电路 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体集成电路装置,其集成在半导体基板上,其特征在于,所述半导体集成电路装置具有熔断器电路以及与所述熔断器电路的输出端子连接的开关电路,所述熔断器电路具有串联连接在第一电位的第一端子与第二电位的第二端子之间的相同布局形状的第一熔断器和第二熔断器,构成所述第一熔断器的电阻体的方块电阻大于构成所述第二熔断器的电阻体的方块电阻,设所述第一熔断器与所述第二熔断器的连接点为所述输出端子,在没有切断所述第一熔断器和所述第二熔断器中的任何熔断器的状态下,所述输出端子的电位成为与所述第一电位和所述第二电位的中点电位相比更接近所述第二电位的电位,所述开关电路构成为在所述输出端子的电位为与所述中点电位相比更接近所述第一电位的电位时接通,在所述输出端子的电位为与所述中点电位相比更接近所述第二电位的电位时断开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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