[发明专利]基于非晶化工艺及热处理在凹部中形成有内埋式应变诱发性材料的晶体管

摘要

本发明涉及一种基于非晶化工艺及热处理在凹部中形成有内埋式应变诱发性材料的晶体管，其为了并入应变诱发性半导体材料而在半导体装置的主动区中形成凹部时，凹部可利用非晶化工艺及热处理得到改良型形状，以便选择性地修改主动区曝露部分的蚀刻行为，并且调整非晶区的形状。如此，凹部的基本配置可经过调整而具有高度弹性。因此，可改良应变诱发性技术的功效。

主权项

一种形成晶体管的方法，其包含：在包含有结晶半导体基材的主动区上方形成晶体管的栅极电极结构；在邻近于该栅极电极结构的该主动区中形成非晶区；进行热处理以致所述非晶区部分再结晶化，以形成改进型非晶区；在该热处理后，蚀刻对该结晶半导体基材具有选择性的所述改进型非晶区，其中，移除该改进型非晶区的非晶材料以在该主动区中形成凹部；以及在所述凹部中形成应变诱发性半导体材料以诱发该晶体管信道区中的应变力。