[发明专利]多位元三维掩膜编程存储器

摘要

本发明提供一种多位元（large bit‑per‑cell）三维掩膜编程存储器（3D‑MPROMB），其每个存储元能存储多位（如4位）信息。3D‑MPROMB通过在存储元中增加电阻膜和/或电阻元素来增大存储元伏－安曲线可调节的范围。

主权项

一种多位元三维掩膜编程存储器，其特征在于含有：一个含有晶体管的半导体衬底；多个叠置在衬底并与衬底耦合的掩膜编程存储层，每个存储层含有包括第一存储元和第二存储元的多个掩膜编程存储元，每个存储元含有一准导通膜，该准导通膜含有至少一半导体材料，该准导通膜在一个方向上的导电性好于另一方向；所述多个掩膜编程存储元具有N种状态，其中N>2；不同状态下的存储元具有不同的伏－安特性；所述第一存储元的阈值电压在所有状态中最小；所述第二存储元的阈值电压大于所述第一存储元，所述第二存储元的准导通膜比所述第一存储元的准导通膜含有更多浓度的电阻元素，该电阻元素增加该半导体材料的电阻率。