[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
申请号: | 201410052093.2 | 申请日: | 2014-02-14 |
公开(公告)号: | CN103996598B | 公开(公告)日: | 2017-01-11 |
发明(设计)人: | 泉本贤治;三浦丈苗;小林健司;西东和英;岩﨑晃久 | 申请(专利权)人: | 斯克林集团公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 金相允,向勇 |
地址: | 日本国京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及基板处理装置及基板处理方法。在该基板处理装置(1)中,利用环状的基板支撑部(141)从下侧支撑水平状态的基板(9)的外缘部,具有与基板(9)的下表面(92)对置的对置面(211a)的下表面对置部(211)设在基板支撑部(141)的内侧。向基板(9)的下表面(92)喷出已加热的气体的喷气喷嘴(180)设在下表面对置部(211),在用上部喷嘴(181)吐出的处理液对旋转的基板(9)的上表面(91)进行处理时,利用已加热的气体加热基板(9)。此外,通过将下部喷嘴(182)设在下表面对置部(211),能够用处理液对基板(9)的下表面(92)进行处理。喷气喷嘴(180)从对置面(211a)突出,由此在进行该处理时,抑制该处理液流入喷气喷嘴(180)。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,用于处理基板,其特征在于,具备:环状支撑部,具有以上下方向的中心轴为中心的环状的形状,用于从下侧支撑水平状态的基板的外缘部;下表面对置部,具有在上述环状支撑部的内侧与上述基板的下表面对置的对置面;旋转机构,使上述环状支撑部与上述基板一同以上述中心轴为中心相对于上述下表面对置部进行旋转;第一处理液供给部,向上述基板的上表面供给第一处理液;第二处理液供给部,从设在上述下表面对置部的处理液喷嘴向上述基板的上述下表面供给第二处理液;以及至少一个喷气喷嘴,从上述对置面突出,用于向上述基板的上述下表面喷出已加热的气体,在上述第一处理液供给部向上述基板的上述上表面供给上述第一处理液时,上述至少一个喷气喷嘴向上述基板的上述下表面喷出已加热的气体,上述至少一个喷气喷嘴包含向上述基板的上述外缘部喷出已加热的气体的喷气喷嘴。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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