[发明专利]一种可获得极宽短波红外发光谱的半导体材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201410052172.3 | 申请日： | 2014-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN103779457A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 王凯;王庶民;张立瑶;顾溢;龚谦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/30;C23C16/30;C23C16/44 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种可获得极宽短波红外发光谱的半导体材料及其制备方法，通过在生长磷化铟（InP）材料时加入少量铋（Bi）元素形成全新的InPBi材料，获得室温下短波红外区域光致发光谱波长覆盖范围极宽的材料。比如当Bi的元素百分含量为1.1％时，其室温光致发光谱的波长覆盖范围可以达到1.3-2.7μm，半峰宽达到650nm。本发明报道的InPBi单晶材料为世界上首次成功合成。此InPBi红外光源材料可采用常规分子束外延、金属有机物化学气相沉积等多种方法进行生长，结构和操作工艺简单，易于控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可获得 短波 红外 光谱 半导体材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种可获得极宽短波红外发光谱的半导体材料，其特征在于：该半导体材料为InPBi，其中Bi元素的原子百分含量为0.1‑5%。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410052172.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种LED曲面导光灯
- 下一篇：立体燃化烟长行程传热式燃煤锅炉
