[发明专利]一种焦面测量装置及其测量方法有效
| 申请号： | 201410052179.5 | 申请日： | 2014-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN104849964B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 张鹏黎;徐文;王帆 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种焦面测量装置及其测量方法，该装置包括投影单元和探测单元；所述投影单元包括波长选择单元及偏振调制单元，波长选择单元对投影光束的波长或波段进行选择，偏振调制单元对波长选择单元输出的投影光束的偏振态进行调制；所述探测单元包括偏振解调单元，用于对控制从硅片上表面反射的探测光束透过；以及参数设置单元，用于根据硅片的工艺特性对波长选择单元、偏振调制单元及偏振解调单元的参数进行配置。本发明通过设置波长选择单元、偏振调制单元以及偏振解调单元对光束进行偏振控制，实现硅片上表面反射的探测光束通过，底层图案的反射光束被抑制，降低底层图案对测量光斑的影响，从光学上解决硅片反射率不均匀的问题，且容易实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测量 装置 及其 测量方法 | ||
【主权项】：
一种焦面测量装置，包括：投影单元，产生投影光束照射待测硅片表面，经所述硅片反射后产生探测光束；探测单元，用于探测所述探测光束；其特征在于，所述投影单元包括波长选择单元及偏振调制单元，所述波长选择单元对所述投影光束的波长或波段进行选择，所述偏振调制单元对所述波长选择单元输出的投影光束的偏振态进行调制；所述探测单元包括偏振解调单元，通过设置波长选择单元、偏振调制单元以及偏振解调单元，实现硅片上表面反射的探测光束透过，硅片底层图案的反射光束被抑制；以及参数设置单元，用于根据所述硅片的工艺特性对所述波长选择单元、偏振调制单元及偏振解调单元的参数进行配置。
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