[发明专利]用于双端口RAM的伪差分读方案在审
| 申请号： | 201410052592.1 | 申请日： | 2014-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN104851449A | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 陈刚;郭靖;王一奇;林宏国 | 申请（专利权）人： | 辉达公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 谢栒;张玮 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于双端口RAM的伪差分读方案。存储器读系统包括具有多个双端口存储单元的存储器列，双端口存储单元由分开的读字线和组织成上部和下部读位线部分的读位线结构所控制。此外，存储器读系统还包括耦连到读位线结构的伪差分存储器读单元，其中上部和下部读位线部分分别控制相应上部和下部局部位线以提供用于存储器列的全局位线。还包括读取存储器的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 端口 ram 伪差分读 方案 | ||
【主权项】：
一种存储器读系统，包括：存储器列，其具有多个双端口存储单元，所述双端口存储单元由分开的读字线和组织成上部和下部读位线部分的读位线结构所控制；以及伪差分存储器读单元，其耦连到所述读位线结构，其中所述上部和下部读位线部分分别控制相应上部和下部局部位线以提供用于所述存储器列的全局位线。
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