[发明专利]一种C-SAM中接合晶圆的密封结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201410053580.0 | 申请日： | 2014-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN104851848A | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 侯元琨;游宽结;华宇;赵月林 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/28;H01L21/56;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种C-SAM中接合晶圆的密封结构及其制备方法，所述密封结构位于所述接合晶圆的边缘，将位于所述密封结构内侧的所述接合晶圆形成密封区域，以防止C-SAM检测中所述接合晶圆的间隙进水；其中，所述接合晶圆包括相互接合的上部接合晶圆和下部接合晶圆。本发明的优点在于：（1）所述接合晶圆边缘上设置的密封结构可以在C-SAM检测过程中将水封锁在晶圆之外。（2）可以根据预先设定的检测方法选用C-SAM对所述晶圆接合质量进行检测。（3）所述晶圆在C-SAM检测之后不会受到损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sam 接合 密封 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种C‑SAM中接合晶圆的密封结构，所述密封结构位于所述接合晶圆的边缘，将位于所述密封结构内侧的所述接合晶圆形成密封区域，以防止C‑SAM检测中所述接合晶圆的间隙进水；其中，所述接合晶圆包括相互接合的上部接合晶圆和下部接合晶圆。
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