[发明专利]具有过补偿区的超级结半导体器件有效
| 申请号： | 201410054288.0 | 申请日： | 2014-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN103996623B | 公开（公告）日： | 2017-10-13 |
| 发明（设计）人： | F.希尔勒;U.瓦尔;A.维尔梅罗特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 张涛,马永利 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有过补偿区的超级结半导体器件。根据实施例，可以通过将第一杂质类型的杂质引入到第一杂质类型的第一半导体层的被露出表面中因此形成注入层，来制造超级结半导体器件。可以在被露出表面上提供第一杂质类型的第二半导体层并且可以穿过第二半导体层到第一半导体层中来蚀刻出沟槽。因而在沟槽之间形成具有从注入层获得的第一过补偿区的第一立柱。可以在沟槽中提供第二导电类型的第二立柱。第一和第二立柱形成具有竖向的第一节段的超级结结构，在该第一节段中第一过补偿区对第二立柱中的对应的节段进行过补偿。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 补偿 超级 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种制造超级结半导体器件的方法，所述方法包括：将第一杂质类型的杂质引入到第一杂质类型的第一半导体层的被露出表面中以形成注入层；在所述被露出表面上提供第一导电类型的第二半导体层；穿过所述第二半导体层到所述第一半导体层中来蚀刻出沟槽，其中在所述沟槽之间形成具有从所述注入层获得的第一过补偿区的第一立柱；以及在所述沟槽中提供第二导电类型的第二立柱，其中第一和第二立柱形成具有竖向的第一节段的超级结结构，在该第一节段中所述第一过补偿区对所述第二立柱中的对应的节段进行过补偿。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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