[发明专利]基准电压产生电路有效
| 申请号： | 201410054346.X | 申请日： | 2014-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN104007778B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 吉野英生 | 申请（专利权）人： | 精工半导体有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 李辉,黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供基准电压产生电路，其即使存在制造工序偏差也具有平坦的温度特性。在半导体制造工艺结束后的半导体装置的电气特性的评价中，分别对3个单位基准电压产生电路（10）的基准电压VREF的温度特性进行评价。然后，从3个单位基准电压产生电路（10）中，仅选择具有最平坦的温度特性的单位基准电压产生电路（10）。只有此处选择出的单位基准电压产生电路（10）的熔断器（13～14）不被断开，而其他熔断器（13～14）被断开。因此，只有选择出的单位基准电压产生电路（10）工作，其他单位基准电压产生电路（10）不工作。 | ||
| 搜索关键词： | 基准 电压 产生 电路 | ||
【主权项】：
一种基准电压产生电路，其搭载于半导体装置并产生基准电压，该基准电压产生电路的特征在于，所述基准电压产生电路具有多个并联连接的单位基准电压产生电路，所述单位基准电压产生电路具有：恒流电路，其具有产生恒定电流的耗尽型NMOS晶体管，该耗尽型NMOS晶体管的栅电极与源极连接，其中，所述栅电极为N型导电型；增强型NMOS晶体管，其具有P型导电型的栅电极，该增强型NMOS晶体管与所述恒流电路串联且以二极管方式进行连接，具有与所述耗尽型NMOS晶体管相同的沟道杂质分布；第一电流截止电路，其与所述恒流电路和所述增强型NMOS晶体管串联连接，能够截止电流；以及第二电流截止电路，其设置在所述增强型NMOS晶体管的漏极与基准电压端子之间，所述多个单位基准电压产生电路分别具有不同的沟道杂质分布。
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