[发明专利]GaN基发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201410055139.6 | 申请日： | 2014-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN103794690B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 张冀;李鹏 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 528226 广东省佛山市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种GaN基发光二极管及其制作方法，所述发光二极管的量子阱包括阱层和垒层，阱层为InxGa1‑xN阱层，垒层为InyGa1‑yN垒层，其中，y<x<1，0<x<1，0≤y<1，阱层和/或垒层的内部具有至少一层GaN隧穿层，由于GaN隧穿层的增加，在阱层或垒层生长到一定厚度，出现In聚集之前，生长一层GaN隧穿层，从而避免阱层和/或垒层出现In聚集现象，提高了量子阱的晶体质量，进而提高了发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | gan 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基发光二极管，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底表面的缓冲层；位于所述缓冲层表面的n型GaN层；位于所述n型GaN层表面的至少一个量子阱，所述量子阱包括阱层和位于所述阱层表面上的垒层，所述阱层为InxGa1‑xN阱层，所述垒层为InyGa1‑yN垒层，其中，y<x<1，0<x<1，0≤y<1，所述阱层和/或所述垒层的内部具有至少一层GaN隧穿层；位于所述量子阱表面的电子阻挡层；位于所述电子阻挡层表面的p型GaN层；其中，所述量子阱中的阱层为包括两层子阱层和位于所述两层子阱层之间的一层GaN隧穿层的多层结构；所述两层子阱层的厚度均小于3nm，大于0，且两层子阱层的厚度之和的范围为2nm‑5nm，包括端点值。
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