[发明专利]一种半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 201410055254.3 | 申请日： | 2014-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN104851834A | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 伏广才;王刚宁;陈文甫;孙涛;汪新学 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的制备方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有具有浅沟槽开口图案的硬掩膜层；以所述硬掩膜层为掩膜蚀刻所述半导体衬底形成浅沟槽；在浅沟槽中以及所述硬掩膜层上沉积第一氧化物层；在所述第一氧化物层上沉积第二氧化物层，其中所述第一氧化物层与所述第二氧化物层具有相近的干法蚀刻去除率，第一氧化物层相对于所述第二氧化物层具有更高的湿法蚀刻去除率；图案化第二氧化物层、所述第一氧化物层和所述硬掩膜层，以形成深沟槽开口图案；以具有深沟槽开口图案的所述第二氧化物层、所述第一氧化物层和所述硬掩膜层为掩膜蚀刻所述半导体衬底以形成深沟槽。本发明所述方法能提高器件表面的均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制备方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有具有浅沟槽开口图案的硬掩膜层；以所述硬掩膜层为掩膜蚀刻所述半导体衬底，以在所述半导体衬底中形成浅沟槽；在所述浅沟槽中以及所述硬掩膜层上沉积第一氧化物层；在所述第一氧化物层上沉积第二氧化物层，其中所述第一氧化物层与所述第二氧化物层具有相近的干法蚀刻去除率，所述第一氧化物层相对于所述第二氧化物层具有更高的湿法蚀刻去除率；图案化所述第二氧化物层、所述第一氧化物层和所述硬掩膜层，以形成深沟槽开口图案；以所述具有深沟槽开口图案的所述第二氧化物层、所述第一氧化物层和所述硬掩膜层为掩膜蚀刻所述半导体衬底，以形成深沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
