[发明专利]Cu-In-Zn-Te四元p-型热电半导体及其制备工艺

摘要

本发明涉及一种Cu-In-Zn-Te四元p-型热电半导体及其制备工艺。其设计要点在于该Cu-In-Zn-Te四元p-型热电半导体是由CuInTe₂中的部分Cu和In元素同时等摩尔量替换为Zn元素，所述Zn元素在所述Cu-In-Zn-Te四元p-型热电半导体中的摩尔分数为0.01～0.05，所述Cu-In-Zn-Te四元p-型热电半导体的化学式为Cu_1-xIn_1-xZn_2xTe₂，其中0≤x≤0.1。本发明采用常规的粉末冶金法制备，工艺简单；采用金属元素Zn等摩尔替换CuInTe₂中Cu和In元素，成本较低；材料具有环保特性，无噪音，适合作为一种绿色能源材料使用。

主权项

一种Cu‑In‑Zn‑Te四元p‑型热电半导体，其特征在于所述Cu‑In‑Zn‑Te四元p‑型热电半导体是由CuInTe₂中的部分Cu和In元素同时等摩尔量替换为Zn元素，所述Zn元素在所述Cu‑In‑Zn‑Te四元p‑型热电半导体中的摩尔分数为0.01～0.05，所述Cu和In元素在所述Cu‑In‑Zn‑Te四元p‑型热电半导体中的摩尔分数为0.225～0.25，所述Cu‑In‑Zn‑Te四元p‑型热电半导体的化学式为Cu_1‑xIn_1‑xZn_2xTe₂，其中0≤x≤0.1。