[发明专利]一种水钠锰矿型二氧化锰纳米片氢气传感器及其制备方法有效
申请号: | 201410056721.4 | 申请日: | 2014-02-19 |
公开(公告)号: | CN103760196A | 公开(公告)日: | 2014-04-30 |
发明(设计)人: | 田先清;王新锋;余堃;卿小霞 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院化工材料研究所 |
主分类号: | G01N27/04 | 分类号: | G01N27/04 |
代理公司: | 四川省成都市天策商标专利事务所 51213 | 代理人: | 刘兴亮 |
地址: | 621000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种水钠锰矿型二氧化锰纳米片氢气传感器及其制备方法,步骤如下,1)水钠锰矿型二氧化锰的制备,2)制备旁热式氢敏元件,3)将导线和加热电阻丝分别焊接至传感器底座上,制成旁热式氢气传感器。本发明以醋酸锰溶液和过氧化钠溶液为原料,采用直接氧化共沉淀技术,制备出比表面积大、空隙率高、粒径小、吸附活性高、结晶性能差的水钠锰矿型二氧化锰纳米片。采用水钠锰矿型二氧化锰纳米片作为氢敏元件,提高了传感器灵敏度,降低了工作温度。 | ||
搜索关键词: | 一种 锰矿 二氧化锰 纳米 氢气 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种水钠锰矿型二氧化锰纳米片氢气传感器,其特征在于:包括加热电阻丝、陶瓷管,所述陶瓷管套装于加热电阻丝外,所述陶瓷管上对称地配置至少一对电极,所述电极上设有导线,所述导线位于陶瓷管内,所述电极与陶瓷管外涂覆有气敏材料层,所述气敏材料层为二氧化锰纳米片,所述陶瓷管上两电极之间形成回路。
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