[发明专利]一种高折射率导电薄膜材料钛氧化物及其制备方法有效
申请号: | 201410057400.6 | 申请日: | 2014-02-20 |
公开(公告)号: | CN103848623B | 公开(公告)日: | 2017-01-04 |
发明(设计)人: | 陈钦忠;陈本宋 | 申请(专利权)人: | 福建阿石创新材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C03C17/23 |
代理公司: | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙)35212 | 代理人: | 宋连梅 |
地址: | 350000 福建省福州*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 一种高折射率导电薄膜材料钛氧化物,其化学式为TiOx,其中x在1.68—1.80之间。制备方法,包括:将原料钛氧化物和Ti按TiOx配料,其中x在1.68—1.80之间,混合均匀;采用热压成型或冷压成型方式成型,制成所需的形状;将材料放于坩埚或专门的工装中,转移至真空烧结炉内,对整个系统抽真空,并升温至1400~1800℃,最高温时保持2~8小时后,开始冷却,制备得钛氧化物材料。本发明提供了一种制作简单、成本低廉的透明导电薄膜材料钛氧化物。 | ||
搜索关键词: | 一种 折射率 导电 薄膜 材料 氧化物 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高折射率导电薄膜材料钛氧化物的制备方法,包括如下步骤:步骤一:将原料钛氧化物和Ti按TiOx配料,其中x在1.68~1.80之间,混合均匀;步骤二:采用热压成型或冷压成型方式成型,制成所需的形状;步骤三:将材料放于坩埚或专门的工装中,转移至真空烧结炉内,对整个系统抽真空,并升温至1400~1800℃,最高温时保持2~8小时后,开始冷却,制备得钛氧化物材料;所述步骤一中的原料钛氧化物是采用一氧化钛、三氧化二钛、五氧化三钛不同价态的钛氧化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的