[发明专利]双轴张应变GeSn n沟道隧穿场效应晶体管有效
| 申请号： | 201410057748.5 | 申请日： | 2014-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN103824880A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 刘艳;韩根全;王洪娟 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/161 |
| 代理公司： | 重庆华科专利事务所 50123 | 代理人： | 康海燕 |
| 地址： | 400030 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明提供一种带有双轴张应变的GeSnn沟道隧穿场效应晶体管（10），其结构包括衬底（101）、源极（102）、漏极（104）、GeSnn沟道（103）、绝缘介电质薄膜（105）以及栅电极（106）。源极、n沟道、漏极形成竖直的器件结构。源极区域材料的晶格常数比GeSnn沟道（103）晶格常数大。GeSnn沟道形成XY面内的双轴张应变，这种应变有利于沟道GeSn从间接带隙转变为直接带隙，从而发生直接量子隧穿，隧穿电流增大，进而提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 双轴张 应变 gesn 沟道 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种带有双轴张应变的GeSn n沟道隧穿场效应晶体管，其特征在于，具有一GeSn n沟道、一衬底、一源极、一漏极、一绝缘介质薄膜、一栅电极； 所述源极是通过外延生长或是键合的方式生长在衬底上，其材料为弛豫的单晶半导体材料GeSn，源极、n沟道、漏极形成竖直的器件结构；所述绝缘介电质薄膜环绕生长在GeSn n沟道上；所述栅电极覆盖在绝缘介电质薄膜上；所述源极材料的晶格常数比 n沟道GeSn晶格常数大；形成沿沟道方向的单轴压应变，沿垂直沟道的平面内的双轴张应变。
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