[发明专利]以三氧化二铝为栅介质的双栅石墨烯晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201410058290.5 | 申请日： | 2014-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN103840003A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 郭辉;赵亚秋;张玉明;黄海栗;雷天民;胡彦飞 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/04;H01L21/28 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种以三氧化二铝为栅介质的双栅石墨烯晶体管及其制备方法，主要解决现有技术制备中石墨烯晶体管顶栅电介质导致石墨烯沟道载流子迁移率降低以及载流子散射的问题。其结构特点是：石墨烯沟道两侧各设有一个栅电极，形成双栅结构；其制作步骤是：1.在清洗后的SiC样片表面淀积一层Al2O3，并在其上刻出结构图形；2.将刻蚀后的样片置于石英管中，通入CCl4与SiC反应生成碳膜，而后置于氩气中退火生成石墨烯，并刻蚀石墨烯沟道两侧60-400nm处的Al2O3，形成栅槽；3.在样片上淀积金属并将其刻成晶体管的金属接触。本发明制作的双栅石墨烯晶体管能有效地提高载流子迁移率和栅极对沟道电流的调制能力。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 介质 石墨 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种以三氧化二铝为栅介质的双栅石墨烯晶体管，包括：石墨烯沟道（4）、电极、栅介质层（5）和半绝缘衬底（6），其特征在于，石墨烯沟道（4）的两侧各设有一个栅电极（1），每个栅电极（1）与石墨烯沟道（4）之间各设有一层栅介质层（5），形成双栅电极结构。
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