[发明专利]一种用于半导体热处理设备的温度控制等效方法

摘要

一种用于半导体热处理设备的温度等效控制方法，包括根据四种控温模式在稳定状态下的标准阈值，判断系统在预定时间内是否稳定；若稳定，在采样周期中连续采样四种控温热电偶测量值并将所得到的测量值分别计算平均值，得到采样周期中各控温模式下的稳态值；并根据稳态差值，计算得到该采样周期的Profiling校准表、Offset校准表、Profiling Result1校准表和Profiling Result2校准表；若热电偶发生故障，以Wafer TC测量温度为基准，通过各校准表，发出等效控制指令；温度控制单元切换到Inner TC、Outer TC、OverTempTC或几者的组合控温模式下进行等效控温。

主权项

一种用于半导体热处理设备的温度等效控制方法，所述半导体热处理设备中包括多个控温区，每个控温区分别包括热电偶、温度控制单元和加热单元；其特征在于，所述方法具体包括如下步骤：步骤S1：根据Profile TC、Inner TC、Outer TC和OverTemp TC四种控温模式在工艺稳定状态下的标准阈值，判断系统在预定的时间内是否稳定，如果稳定，执行步骤S2；步骤S2：在采样周期中，连续采样Profile TC、Inner TC、Outer TC和OverTemp TC热电偶测量值并将所得到的测量值分别计算平均值，得到该采样周期中各控温模式下的稳态值；步骤S3：分别进行Inner TC与Outer TC间、Outer TC与OverTemp TC间、Profile TC和Inner TC间的稳态差值计算，得到该采样周期的存放Inner TC与Outer TC及Outer TC与OverTemp TC间进行温度校准的Profiling校准表；使用Offset校准表存放Profile TC和Inner TC间进行温度校准的数值；Profiling校准表包括Profiling Result1校准表，Profiling Result2校准表；步骤S4：同步更新各校准表，以Wafer TC测量的温度为基准，通过Profile TC与硅片本身表面温度的Wafer TC校准表，以及所述各校准表，温度控制单元进行补偿控温处理；步骤S5：如果热电偶发生故障，发出等效控制指令；步骤S6：温度控制单元接收温度控制指令，分别选择并切换到Inner TC、Outer TC、OverTemp TC或几者的组合控温模式下进行下一采样周期的温度等效控温。