[发明专利]一种具有双极型工作特性的薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201410058523.1 | 申请日： | 2014-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN103811559B | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 王明湘;张冬利;陈杰 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林;汪庆朋 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有双极型工作特性的薄膜晶体管，其包括：绝缘衬底、半导体有源区、金属源区、金属漏区、栅绝缘层、栅电极和源漏区附近的调制掺杂区；栅极电压可在半导体有源区表面诱导出导电沟道，此导电沟道将连接金属源区和金属漏区。金属源区与沟道区之间的区域以及金属漏区与沟道区之间的区域均包含可调节空穴和电子势垒高度的调制掺杂区,该调制掺杂区在沟道区的不同深度含有导电类型互补的杂质掺杂。本发明利用源漏区附近的调制掺杂区对电子和空穴势垒高度的调制作用,可以实现在正负栅极电压下都能开启的双极型薄膜晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 调制掺杂 薄膜晶体管 沟道区 金属漏 双极型 半导体有源区 导电沟道 工作特性 金属源区 栅极电压 源漏区 空穴 表面诱导 导电类型 电子势垒 空穴势垒 连接金属 杂质掺杂 栅绝缘层 可调节 栅电极 衬底 源区 调制 绝缘 | ||
【主权项】：
1.一种具有双极型工作特性的薄膜晶体管，其包括绝缘衬底、金属源区、金属漏区、栅绝缘层、栅电极以及设置有半导体沟道区的半导体岛，所述半导体岛表面在栅极电压下诱导出连接金属源区和金属漏区的导电沟道；其特征在于，所述金属源区与半导体沟道区之间的区域以及金属漏区与半导体沟道区之间的区域在不同深度处分别设置有用于调节空穴和电子势垒高度的调制掺杂区；金属源/ 漏区的多晶硅薄膜晶体管以金属作为源/ 漏区，在栅电极边缘位置处，金属源/ 漏区与本征的多晶硅沟道区之间形成肖特基接触。
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